光刻机，这个中国国产自研技术的软肋，美国最近对华为中兴的制裁，已经进入白热化，显然他们深知我们的软肋——缺乏芯片的高精密制造工艺。
...
中国的光刻机水平
许多人可能还不知道我国目前的光刻机水平，中芯国际已经能够量产14nm芯片，并且中芯国际已经拥有了一台7nm光刻机，那么是否代表着我国已经能够制造7nm光刻机了呢？答案是否定的，量产14nm芯片并不等于量产14nm光刻机，中芯国际拥有的一台7nm光刻机也是中芯国际前一段时间向荷兰公司ASML购买的，目前最世界上能够提供量产食用的光刻机有三家，分别是ASML、尼康和佳能。但是最先进的光刻机就是荷兰的ASML，尤其是ASML研制的极紫外线光源（EUV）的光刻机，更加是划时代的产品，在10nm以下的光刻机中，荷兰的ASML公司几乎就是垄断光刻机的市场份额。
我国最厉害的光刻机制造厂是来自上海的上海微电子装备公司（SMEE，后面用SMEE代替），SMEE目前的最高水平为量产90nm光刻机，90nm和7nm相比，从数字上来看，还像相差很大好像又相差不大，那么90nm到底是什么样的一个水平呢？2004年英特尔发布的最新奔腾处理器就是采用的90nm制程，也就是说，90nm是十几年前的水平。当然，虽然90nm制程是十几年前的技术，但是也不能小瞧它，它已经完全可以胜任基础工业设施和国防，像手机和电脑这种精密仪器，90nm芯片就有点力不从心了。当然，我们也不能灰心，要知道，SMEE成立时间仅仅为2002年，相比其它公司来说起步时间比较晚，从零到90nm也没有花费太多时间，相信后面他们能够更强！
...
从技术上来讲，目前的购入技术与5nm相差4代，净追赶时间不低于4年，甚至翻倍。而且这个技术是创建在能够复刻购买的14nm设备的前提下。
如果从研发角度来说，目前的制程是28nm，也就是说要经过5代才能达到5nm，同时需要跨过摩尔定律失效的14nm节点，这可能会成为一个麻烦。
与其思考如何缩小制程，可能3D堆叠的方法会更加现实一些。
